This course can also be taken for academic credit as ECEA 5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree.
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Programa de cursos integrados Semiconductor DevicesUniversidade do Colorado em BoulderInformações sobre o curso
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Prazos flexíveis
Redefinir os prazos de acordo com sua programação.
Certificados compartilháveis
Tenha o certificado após a conclusão
100% on-line
Comece imediatamente e aprenda em seu próprio cronograma.
Curso 3 de 3 no
Nível avançado
Aprox. 12 horas para completar
Inglês
Legendas: Francês, Portuguese (European), Russo, Inglês, Espanhol
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Universidade do Colorado em Boulder
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Comece a trabalhar rumo ao seu mestrado
Este curso é parte da graduação 100% on-line Master of Science in Electrical Engineering da Universidade do Colorado em Boulder.
Caso seja aceito para o programa completo, seus cursos contarão para sua graduação.
Programa - O que você aprenderá com este curso
4 horas para concluir
Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Device
In this module on MOS devices, we will cover the following topics:, MOS device structure, energy band diagram for MOS device at equilibrium, Flat band condition, Accumulation, Depletion, and Inversion of MOS under bias, Energy band diagram and charge distribution for MOS in inversion, Quantitative model and relevant parameters, Energy band diagram with channel bias, Inversion layer charge, and Effect on threshold voltage of MOS in non-equilibrium, C-V characteristics: Charge distribution under different biasing conditions, C-V characteristics: Frequency dependence, Effects of oxide charge on flat band and threshold voltages in non-ideal MOS, and Types of oxide charge in non-ideal MOS.
4 horas para concluir
8 vídeos (Total 90 mín.), 4 leituras, 1 teste
3 horas para concluir
MOS Field Effect Transistor (MOSFET)
In this module on MOSFETs (metal-oxide semiconductor field effect transistors), we cover the following topics: History of development of MOSFETs, Device structure, Device types, Circuit symbols, Long channel theory, I-V characteristics, Modes of operation, Channel length modulation, Body bias effect, Bulk charge effect, Sub-threshold conduction, Source/drain charge sharing in short channel devices, Drain induced barrier lowering, Subsurface punchthrough, Mobility degradation, Velocity saturation, Drain current saturation, Scaling of drain current with channel length, and Scaling of speed with channel length.
3 horas para concluir
7 vídeos (Total 65 mín.), 3 leituras, 1 teste
5 horas para concluir
Bipolar Junction Transistor (BJT)
In this module on BJTs (bipolar junction transistors), we will cover the following topics: BJT Device structures, Energy band diagrams, Active bias, Leakage current, Recombination in base, Hoe injection, Non-uniform doping in base, Current gain, Switching with BJT, Single heterojunction bipolar transistor, Double heterojunction bipolar transistor, Non-uniform material, Early effect, Emitter bias dependence, High-level injection, Base, emitter and collector transit times, and RC time constant.
5 horas para concluir
6 vídeos (Total 79 mín.), 3 leituras, 2 testes
Sobre Programa de cursos integrados Semiconductor Devices
The courses in this specialization can also be taken for academic credit as ECEA 5630-5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree. Enroll here.
Perguntas Frequentes – FAQ
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